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Contexte

Le semi-conducteur est aujourd'hui la brique de base des évolutions technologiques. C'est un domaine qui demande des spécialistes, et pour lequel, de gros investissements européens ont été mis en place. Il est crucial de former un large public à ces problématiques.

Programme : 6h de cours sur la physique des semi-conducteurs, les bandes d’énergie, les jonctions P-N et les jonctions MOS, 6h de simulation via le logiciel Ecorce sur la conception d’un transistor MOSFET, 6h de fabrication en salle banche d’un transistor MOSFET, 6h de caractérisation statique (I-V) et dynamique (C-V) du transistor conçu, 4h30 de TD de mise en application du cours à la pratique, 1h30 de QCM.

ObjectifS

A l'issue de la formation, le participant sera en capacité de
- MAITRISER les bases théorique de la physique du semi-conducteur
- INTERPRETER des résultats de mesures liés à la caractérisation de composants semi-conducteur
- DEVELOPPER et EXECUTER des tests sous pointes
- MODELISER et discriminer l'influence de certains paramètres technologiques lors de la simulation
- JUGER de la pertinence d'un composant de MOSFET pour une application donnée
- PROPOSER de nouvelles structures de composants
- APPLIQUER les différentes étapes de fabrication d'un composant semi-conducteur

PROGRAMME

  • Modèle de bandes d'énergies / Jonctions PN / Jonctions MOS
  • Simulations Ecorces
    Durant la session, il s'agit d'utiliser un logiciel par éléments finis prenant en compte les différents lois liées à la physique des semiconducteurs. Ce logiciel intitulé Ecorce permet un apprentissage rapide et pédagogique des semi-conducteurs ce qui offre la possibilité un une matinée de concevoir un MOSFET et de le caractériser. Il sera possible ainsi d'observer les influences de la géométrie du composant sur ses caractéristiques électriques. L'après midi sera dédié à la conception d'un composant MOSFET présentant des performances spécifiques.
  • Fabrication
    Durant la séance de travaux pratiques, les formés découvriront les salles blanches et les procédés qui y sont menés. En particulier, la succession d’étapes de procédés de microfabrication associé à la fabrication d’un transistor MOSFET sera d’abord présenté puis réalisé. Pour ce faire, des étapes de lithographies puis transfert par gravure et dépôt métallique seront réalisés pour ainsi prendre conscience des enjeux et de la complexité de ces procédés technologiques
  • Caractérisation du MOSFET fabriqué en salle blanche
    Durant la séance de travaux pratiques, les formés déterminerons les caractéristiques des dispositifs qu’ils ont fabriqué durant la séance de fabrication. Pour ce faire, des caractéristiques Capacité-Tension (C-V) seront par exemple réalisées afin d’illustrer la modulation de la quantité de porteur sous la grille du transistor, ou encore des caractéristiques Ids-Vds et Ids-Vgs afin d’observer la comportement statique du transistor.
  • Exercice théorique sur la jonction MOS et sur la jonction PN
  • les semi-conducteurs de puissance
    Présentation des MOSFET Si et SiC, des IGBT et des HEMT GaN afin d'offrir un scope global sur les technologies actuellement en développement ou utiliser pour la gestion de l'énergie. Cela permet une mise en relief de l'importance des matériaux sélectionnés sur les performances nécessaire à la transition énergétique.
  • Evaluation
    QCM final

Pré-requis

Pas de pré-requis spécifique hormis de bonnes bases en physiques pour bien comprendre.

- Procédure d’admission à cette formation :
Entretien téléphonique avec le/la chargé/e d’affaires pour comprendre vos attentes et votre projet professionnel en lien avec la formation visée.
Envoi de votre CV au/à la chargé/e d’affaires puis transmission au responsable pédagogique du parcours qui étudie votre candidature et valide ou non les prérequis nécessaires à la formation. Retour sous 5 jours ouvrés. Si votre candidature est validée, vous pouvez procéder à votre inscription via le CPF (si la formation y est éligible), ou via le bulletin d’inscription transmis par le/la chargé/e d’affaires.

public concerné

Ingénieurs et techniciens supérieurs désirant maitriser les composants semi-conducteur, leur fonctionnement et leur fabrication. Cela peut être pour mieux s’informer du fonctionnement et de la fabrication des composants semi-conducteur ou tout simplement pour se former sur le sujet en prenant en main de nombreux outils indispensables à la réalisation de ces composants indispensables dans de nombreux domaine de la vie courante.

en pratique

Méthodes pédagogiques

Cours, simulation, manipulation

Moyens pédagogiques

Accès au logiciel Ecorce, permettant de simuler le comportement électrique du semi-conducteur et de mettre en application le cours préalablement vu pour mieux comprendre les évolutions actuelles et futurs de l’électronique, accès à une salle blanche permettant de maitriser les différentes étapes de fabrication du transistor MOSFET et accès à des outils de caractérisation (mesures statiques et dynamiques) afin de valider expérimentalement la réalisation d’un composant.

Modalités d'évaluation

QCM final

Les + de la formation

Pédagogie active avec TP sur 3 jours

Statistiques

85/100
Taux de satisfaction globale pour 389 formations
(sur un panel de 1531 répondants sur les 4140 participants en 2023)

89/100
Taux de satisfaction globale relative aux formateurs en 2023 pour 389 formations
(sur un panel de 1531 répondants sur les 4140 participants en 2023)

Votre contact pour cette formation

Virginia Pena Santos
Responsable commerciale Inter-Entreprise

+33 (0)1 75 31 60 06

Ils vous en parlent

Le semi-conducteur est aujourd'hui un élément essentiel de l'évolution technologique et l'Europe est en retard sur ce sujet tant d'un point de vue fabrication que formation. Il est essentiel de proposer en France des enseignements prenant en compte les aspects théoriques et pratiques, à travers des simulations, de la conception et de la caractérisation de composants électroniques. A travers cette formation, au spectre large sur le sujet, l'essentiel du composant Mosfet sera maitrisé afin de pouvoir travailler au développement de nouvelles générations de composants de puissance

Tanguy PHULPIN
Responsable Pédagogique

Pour participer à la prochaine session
Ce programme est disponible en intra-entreprise pour former vos collaborateurs
Référence :
NG17-25
Prix :
3 250€ (HT)
Télécharger la brochure
  • Du 12/05/2025 au 16/05/2025
    Contactez-nous pour en savoir plus sur les prochaines dates de ce parcours.
    + Plus de dates
  • 5 jours - 30 heures
  • Gif sur Yvette (91190) + Laboratoire GeePs et C2N

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